筆記本內(nèi)存簡(jiǎn)史-電腦維護(hù)

2020-05-07 20:55 作者：admin

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 由于筆記本電腦整合性高，設(shè)計(jì)精密，對(duì)于內(nèi)存的要求比較高，筆記本內(nèi)存必須符合小巧的特點(diǎn)，需采用優(yōu)質(zhì)的元件和先進(jìn)的工藝，擁有體積小、容量大、速度快、耗電低、散熱好等特性。出于追求體積小巧的考慮，大部分筆記本電腦最多只有兩個(gè)內(nèi)存插槽。 

    我們把內(nèi)存的發(fā)展分為非標(biāo)準(zhǔn)時(shí)代和標(biāo)準(zhǔn)時(shí)代。 （圖片：筆記本內(nèi)存）
    混亂年代－非標(biāo)準(zhǔn)的天堂 

    和其它配件一樣，內(nèi)存的發(fā)展也是從臺(tái)式機(jī)開(kāi)始的。剛開(kāi)始的內(nèi)存都是焊接在主板上的。我們所熟悉的內(nèi)存條大致是從286時(shí)期主板上的內(nèi)存條開(kāi)始的，30pin、256K的，而且必須是由4條組成一個(gè)bank方可顯示。30pin 、16MB在那時(shí)可是稀罕物，價(jià)格不菲。而本本的內(nèi)存出現(xiàn)要晚的多。 (圖片：臺(tái)式機(jī)內(nèi)存)
    1982年11月，Compaq推出第一臺(tái)IBM兼容手提計(jì)算機(jī)，采用的內(nèi)存為128KB RAM。而真正的筆記本內(nèi)存是始于486時(shí)代的。 

    那時(shí)筆記本適用內(nèi)存幾乎是千奇百怪，一個(gè)品牌、一個(gè)機(jī)型一種適用內(nèi)存，因?yàn)楸旧磉@個(gè)時(shí)代的機(jī)器就帶有摸索和試驗(yàn)的性質(zhì)，有的機(jī)器更是直接用PCMICA內(nèi)存卡來(lái)做內(nèi)存。 

    到了586階段，臺(tái)灣廠商的筆記本的產(chǎn)品逐步推廣使用了72pin SO DIMM標(biāo)準(zhǔn)筆記本內(nèi)存，其實(shí)也存在至少4種72pin SO DIMM內(nèi)存：72pin 5V FPM SO DIMM、72pin 5V EDO 72pin 3.3V FPM SO DIMM、72pin 3.3V EDO SO DIMM。這時(shí)的內(nèi)存大部分和顯卡一樣是焊接在主板上的。 

    到了Pentium MMX階段，出現(xiàn)了144pin 3.3V EDO SO DIMM標(biāo)準(zhǔn)筆記本內(nèi)存，也就是我們所說(shuō)的EDO內(nèi)存。這種內(nèi)存需要雙條搭配使用，價(jià)格依舊很貴。另外仍然存在一些異類(lèi)，例如：TOSHIBA的某些機(jī)型、臺(tái)灣TWINHEAD（倫飛）的8、9系列。  (EDO內(nèi)存)
    名詞解釋?zhuān)?/strong>EDO內(nèi)存：這種內(nèi)存主要用于古老的MMX和486機(jī)型上面，也有部分廠家在PII的筆記本電腦中仍然使用EDO內(nèi)存，這種EDO單條最高容量只有64M，而且由于EDO內(nèi)存的工作電壓為5V和現(xiàn)在常用的SDRAM的3.3V相比更費(fèi)電一些，所以很快就被SDRAM內(nèi)存所取代。
過(guò)渡使者－SDRAM 

    筆記本經(jīng)歷了Pentium時(shí)代，CPU的速度已經(jīng)越來(lái)越快，這時(shí)Intel公司提出了具有里程碑意義的內(nèi)存技術(shù)----SDRAM。，至此，筆記本內(nèi)存進(jìn)入完全的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存時(shí)代。 

    市場(chǎng)上的標(biāo)準(zhǔn)筆記本用的SDRAM都是144pin的SO-DIMM接口，而大部分PII和PIII本本使用的就是SDRAM內(nèi)存。SDRAM內(nèi)存生產(chǎn)商和牌子很多，而且價(jià)格相對(duì)來(lái)講都不是很貴，產(chǎn)品性能區(qū)別不大，比較著名的品牌有kingmax,kinghorse,創(chuàng)見(jiàn)等。

單條雙面16片256MB的SDRAM內(nèi)存
    名詞解釋：SDRAM內(nèi)存：SDRAM的全稱(chēng)是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步動(dòng)態(tài)隨即存儲(chǔ)器)，就象它的名字所表明的那樣，這種RAM可以使所有的輸入輸出信號(hào)保持與系統(tǒng)時(shí)鐘同步。由于SDRAM的帶寬為64Bit，因此它只需要一條內(nèi)存就可以工作，數(shù)據(jù)傳輸速度比EDO內(nèi)存至少快了25％。SDRAM包括PC66、PC100、PC133等幾種規(guī)格。


內(nèi)存中的另類(lèi)－Micro DIMM接口內(nèi)存 

    由于超薄機(jī)型和SUB NOTEBOOK的出現(xiàn)，普通的內(nèi)存無(wú)法滿(mǎn)足它們的需要，因此Micro DIMM接口內(nèi)存應(yīng)運(yùn)而生，如SONY 的 SR 系列。MicroDIMM是一種新出現(xiàn)的筆記本內(nèi)存接口并且很有可能演變成為將來(lái)的SUB NOTBOOK的內(nèi)存接口標(biāo)準(zhǔn)，雖然它也是144Pin 但跟普通的144Pin有很大差別，這種專(zhuān)用內(nèi)存現(xiàn)在在市場(chǎng)上還很少見(jiàn)。如Sony的C1就是使用的此種內(nèi)存。

（圖片：SDRAM Micro-DIMM 144pin)
質(zhì)的飛躍－DDR 

    DDR SDRAM 顧名思義，Double Data Rate(雙倍數(shù)據(jù)傳輸)的SDRAM。隨著臺(tái)式機(jī)DDR內(nèi)存的推出，現(xiàn)在筆記本電腦也步入了DDR時(shí)代，目前有DDR266和DDR333等規(guī)格，現(xiàn)在在主流的采用Pentium4-M、Pentium-M、P4核心賽揚(yáng)的機(jī)器都是采用DDR內(nèi)存，也有少量的Pentium3-M的機(jī)器早早跨入DDR時(shí)代。其實(shí)DDR的原理并不復(fù)雜，它讓原來(lái)一個(gè)脈沖讀取一次資料的SDRAM可以在一個(gè)脈沖之內(nèi)讀取兩次資料，也就是脈沖的上升緣 

    和下降緣通道都利用上，因此DDR本質(zhì)上也就是SDRAM。而且相對(duì)于EDO和SDRAM，DDR內(nèi)存更加省電（工作電壓僅為2.25V）、單條容量更加大（已經(jīng)可以達(dá)到1GB）。

（圖片：NANYA生產(chǎn)的1G DDR筆記本內(nèi)存條！） 
    開(kāi)始大部分本本都是用的DDR266內(nèi)存。而2002年，因?yàn)镮NTEL 855GME芯片組的出現(xiàn)首先支持DDR333。而早已經(jīng)在臺(tái)式機(jī)上得到普及的DDR400內(nèi)存也很快會(huì)在本本上得到普及。

（圖片：256M DDR400的三星原廠筆記本內(nèi)存）
未來(lái)展望： 

    相對(duì)于臺(tái)式機(jī)筆記本內(nèi)存技術(shù)，筆記本內(nèi)存技術(shù)一般會(huì)滯后一些，這是由于筆記本應(yīng)用的一些特點(diǎn)所決定的。不過(guò)，其技術(shù)還是在不斷地前進(jìn)。 

    隨著內(nèi)存制作工藝的提高，未來(lái)幾年內(nèi)存將向著高頻率、大容量、低發(fā)熱量的方向發(fā)展。隨著臺(tái)式機(jī)DDR2內(nèi)存的逐漸普及，支持筆記本的DDR2內(nèi)存也逐漸浮出了水面。而英特爾的首個(gè)支持DDR2的主流筆記本平臺(tái)（開(kāi)發(fā)代號(hào)為Alviso的芯片組——也是英特爾下一代迅馳“Sonoma”的平臺(tái)）預(yù)計(jì)將在2004下半年出現(xiàn)。 

    與桌面電腦對(duì)待DDR2的謹(jǐn)慎態(tài)度不同，筆記本陣營(yíng)可能會(huì)迫不及待地升級(jí)到DDR2，因?yàn)樾录夹g(shù)與DDR相比較帶來(lái)了更低的功耗和發(fā)熱量，這對(duì)于筆記本平臺(tái)來(lái)說(shuō)比單純的性能表現(xiàn)或許更重要。
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